型号:

BAV 99W E6327

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Infineon Technologies描述:DIODE SW SERIES 80V SOT-323
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> 二极管,整流器 - 阵列
BAV 99W E6327 PDF
产品变化通告 Product Discontinuation 01/Mar/2011
产品目录绘图 Circuit
标准包装 1
系列 -
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大) 1.25V @ 150mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电 150nA @ 70V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管) 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大) 80V
反向恢复时间(trr) 4ns
二极管类型 标准
速度 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置 1 对串联
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70,SOT-323
供应商设备封装 PG-SOT323-3
包装 标准包装
产品目录页面 1621 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 BAV99WE6327INDKR
相关参数
C0402C471K3GACTU Kemet CAP CER 470PF 25V 10% NP0 0402
C0603C330K4GACTU Kemet CAP CER 33PF 16V 10% NP0 0603
1N5819M-13 Diodes Inc DIODE SCHOTTKY 40V 1A SMD MELF
293D227X9010D2TE3 Vishay Sprague CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
ASPI-0320S-2R2N-T3 Abracon Corporation INDUCTOR POWER MINI 2.2UH 0320
3240366 Phoenix Contact CABLE DUCT 120MMX80MM
R1LP0408CSP-5SI#S0 Renesas Electronics America IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP
MIC4420BMM TR Micrel Inc IC DRIVER MOSFET 6A LS 8-MSOP
TR3E337K010C0060 Vishay Sprague CAP TANT 330UF 10V 10% 2917
C0402C471K3GACTU Kemet CAP CER 470PF 25V 10% NP0 0402
R1LP0408CSP-5SI#B0 Renesas Electronics America IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP
293D227X9010D2TE3 Vishay Sprague CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
CWST660 Hammond Manufacturing COVER HINGED STRAIGHT 6X6X60"
2154092-1 TE Connectivity SSL DRIVER UNIT 350MA 8-25V 10W
BAV 99W E6327 Infineon Technologies DIODE SW SERIES 80V SOT-323
LM4040BIX3-3.0+T Maxim Integrated IC VREF SHUNT PREC 3V SC-70-3
293D227X9010D2TE3 Vishay Sprague CAP TANT 220UF 10V 10% 2917
1N5818M-13 Diodes Inc DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMD MELF
LM4041BILT-1.2 STMicroelectronics IC VREF SHUNT PREC SOT-23-3L
BAV 99W E6327 Infineon Technologies DIODE SW SERIES 80V SOT-323